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半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻設備,於1960年左右才出現,然而其理論基礎peltier effect可追溯到19世紀。這現象最早是在1821年,由一位德國科學家thomas seeback首要發現,不過他其時做了過錯的推論,並沒有領悟到背麵真實的科學原理。到了1834年,一位法國表匠,一起也是兼職研討這現象的物理學家 jean peltier,才發現背麵真實的原因,這個現象直到近代隨著半導體的開展才有了實踐的使用,也就是致冷器的創造(留意,這種叫致冷器,還不叫半導體 致冷器)。
由許多n型和p型半導體之顆粒相互擺放而成,而n p之間以一般的導體相連接而成一完好線路,通常是銅、鋁或其他金屬導體,最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹相同夾起來,陶瓷片有必要絕緣且導熱傑出,外觀由許多n 型和p型半導體之顆粒相互擺放而成,而n p之間以一般的導體相連接而成一完好線路,通常是銅、鋁或其他金屬導體,最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹相同夾起來,陶瓷片有必要絕緣且導熱傑出。
n型半導體。任何物質都是由原子組成,原子是由原子核和電子組成。電子以高速度繞原子核滾動,遭到原子核招引,因為遭到必定的約束,所以電子隻能在 有限的軌道上工作,不能恣意脫離,而各層軌道上的電子具有不同的能量(電子勢能)。離原子核最遠軌道上的電子,常常能夠脫離原子核招引,而在原子之間運 動,叫導體。假如電子不能脫離軌道構成自由電子,故不能參加導電,叫絕緣體。半導體導電才能介於導體與絕緣體之間,叫半導體。半導體重要的特性是在必定數 量的某種雜質滲入半導體之後,不但能大大加大導電才能,並且能夠依據摻入雜質的品種和數量製造出不同性質、不同用處的半導體。將一種雜質摻入半導體後,會 放出自由電子,這種半導體稱為n型半導體。
p型半導體,是靠空穴來導電。在外電場效果下空穴活動方向和電子活動方向相反,即空穴由正板流向負極,這是p型半導體原理。
載流子現象:n型半導體中的自由電子,p型半導體中的空穴,他們都是參加導電,統稱為載流子,它是半導體所特有,是因為摻入雜質的結果。
半導體製冷資料:不僅需求n型和p型半導體特性,還要依據摻入的雜質改變半導體的溫差電動勢率,導電率和導熱率使這種特別半導體能滿意製冷的資料。 目前國內常用資料是以碲化鉍為基體的三元固溶體合金,其間p型是bi2te3sb2te3,n型是bi2te3bi2se3,選用筆直區熔法提取晶體 資料。
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